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深沟槽工艺相关论文
深沟槽工艺产品晶片周边硅针缺陷的解决方法
在功率金属氧化物半导体器件生产中,有些为了达到特殊的器件性能,采用深沟槽工艺,其沟槽深度可达几十微米,该类产品在关键的深沟槽......
期刊
深沟槽工艺
晶片周边硅针缺陷
倒梯形工艺
负光阻工艺
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