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混合CMOS-MLC相关论文

基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计

在RRAM交叉阵列结构中实现逻辑运算可以较好地解决传统冯诺依曼架构中的存储墙问题.三值逻辑相比于传统的二值逻辑,具有更少的逻辑......

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三值存内逻辑存储墙阻变存储器 RRAM交叉阵列多值单元混合CMOS-MLC 三值加法器碳纳米晶体管

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