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本文通过台阶仪和扫描电镜、原子力显微镜测试观察了PVD方法制作Cr薄膜的溅射速率和表面形貌,实验分析了相关工艺参数对溅射速率的......
本论文在简要介绍GaSb基化合物半导体激光器及其器件工艺的发展现状后，分析讨论了目前GaSb基材料的刻蚀工艺存在的问题，并将其分为两......
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随着社会主义市场经济逐渐趋向于可持续发展,太阳电池被广泛应用在各领域生产中,而湿法刻蚀工艺作为太阳电池常用化学清洗法,也应......
Ⅲ-Ⅴ族化合物材料氮化镓相比于硅材料具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强,是第三代半导体材料中的杰出代表。不同于传统硅基半导......
