源漏Ti硅化物相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

源漏Ti硅化物相关论文

用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路

在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上,采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构,并在工艺中利用......

期刊

半导体技术激光测距电路全耗尽SOI结构 LDD结构源漏Ti硅化物高速低功耗

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