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激光退火工艺相关论文
基于激光退火欧姆接触工艺的AlGaN/GaN HEMT器件研究
作为第三代半导体材料中的杰出代表,氮化镓材料相比于硅材料具有更大的禁带宽度和更高的击穿场强,可广泛应用于LED照明、5G通讯、......
学位
AlGaN/GaN HEMT器件
激光退火工艺
欧姆接触
击穿电压
动态电阻
无金工艺
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