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热电子陷阱效应相关论文
GaN基异质结及其电子器件的研究
Ⅲ族氮化物半导体材料由于其大的禁带宽度、高电子饱和速度、耐高温、耐击穿和抗辐射等优异的物理化学特性,在高温、高频、大功率......
学位
AlGaN/GaN
AlInN/GaN
HEMT
共振拉曼
热电子陷阱效应
栅极电子注入效应
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