随着集成电路工艺的不断进步,辐射效应对电路可靠性的威胁越来越大,其中单粒子效应逐渐成为集成电路故障的主要原因。标准单元作为......

MOSFET功率管版图面积利用率是衡量功率管性能的重要指标之一。本文针对常见MOSFET功率管版图结构面积利用率的问题,提出了一种紧......

在传统的基于设计电路的ESD(Electro-Static Discharge)损伤仿真中,通常不考虑版图物理结构的影响,其仿真结果往往与实际损伤情况......

随着集成电路特征尺寸缩小，体硅器件遇到了一系列问题，限制了器件尺寸进一步缩小。SOI技术能有效地克服体硅材料的不足，充分发挥硅集......

在门级电路的可靠度估计方法中,基本门故障概率p通常是以经验值或人为设定的方式出现,最近才被建模成栅氧化层的故障概率或基本门......

阐述静电放电保护原理,设计CMOS电路的静电释放ESD保护结构,以及等效电路的应用,提升整个电路的抗ESD能力,从而最大程度降低静电放......

本文用adiabatic charge和energy recovery低功耗技术设计了LCOS微型显示器的驱动电路,并介绍了cadence的仿真结果和版图结构.......

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版......

任何一种设计技术、版图结构都需要输入/输出单元.不论是门阵列结构,还是标准单元结构,现代设计理论提倡将IC的内部结构和外部信号......

通过对ELANTEC公司的EL5X20 CMOS Rail-to-Rail运算放大器的版图结构、电路原理进行分析,利用UMC公司的hspice leve149(sim3.3)0.6......

首先简述了目前LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic,低温共烧陶瓷技术)滤波器的版图结构及其优劣,重点阐述了一种结构紧凑的60......