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氮化铝(A1N)具备宽禁带、直接带隙、高击穿场强、低导通电阻、高开关速度等优异的材料特性,有望应用于深紫外光电、大功率与高频等......
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料因其带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大、击穿电压高以及抗强辐射等诸多特色,不仅在蓝......
为判定物理气相输运法生长HgI2晶体过程中自由碘的来源,利用平衡气压方程对生长体系中自由碘的形成动力学进行了分析.计算表明,随......
