提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......

随着功率半导体器件的不断发展,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)已经成为当前应用最广泛的功率器件之......

在新能源、高铁、电动汽车、智能电网这些绿色产业或产品中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)是必不......

提出了一种1.2 kV氧化槽交替隔离型RC-IGBT结构。通过采用和正面栅极工艺相同的沟槽刻蚀技术,在器件背面形成交替出现的氧化槽,氧......