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本文利用电子束诱生电流(EBIC)对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。EBIC 结果显示不同类型的洁净晶界在300 K 和100 K 下的都......
本文利用电子束诱生电流(EBIC)对定向凝固生长铸造多晶硅中缺陷的电学性能进行了分析.EBIC结果显示铸造多晶硅中晶界和位错的复合......
能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利......
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced current,EBIC)技术对铸造多......
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