电子自旋弛豫相关论文
利用飞秒时间分辨圆偏振光抽运探测饱和吸收技术,研究了典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体InP和Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe的电子自旋弛豫动力学过程。实......
近年来，尤其是人们在室温下通过激子吸收漂白直接观察到了多量子阱中皮秒量级的自旋弛豫现象之后，电子自旋弛豫特性及由此特性制作的......
采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发......
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋......
采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱，测量了（110）晶向生长的近似对称和完全非对称掺杂GaAs/AlGaAs量子阱中的电子自旋弛豫，发现两种量......
采用固态源分子束外延的方法在GaAs（110）取向衬底上生长了GaAs／A1GaAs多量子阱结构，对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱......
