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窄禁带半导体InGaAs和HgCdTe的磁输运性质研究
窄禁带半导体InGaAs和HgCdTe的电子有效质量小,迁移率高,有效g因子大,具有较强的自旋-轨道耦合作用,是制备自旋器件的理想材料。研究其......
学位
量子阱
自旋电子学
有效质量
反局域效应
电子退相干时间
窄禁带半导体InGaAs
窄禁带半导体HgCdTe
磁输运性质
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