电学补偿相关论文
研究了通过电学补偿且基于FPGA(field programmable gate array)设计实现的频率远距离稳定传输问题。根据共轭相位补偿法原理,设计......
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比......
研究了HPLEC工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响。由n......
针对高精度频率光纤传输的相位波动问题,分析了常规电学补偿传输方式存在的不稳定性因素,提出了可行的解决方案。首先着重分析了电......
对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级......
本文根据霍尔测量（Hall）和热激电流谱（TSC）的结果，研究了半绝缘InP材料中深能级缺陷的属性和产生原因，并讨论了缺陷对半绝缘InP电学性质......
AMOLED显示屏经过长时间的使用,不可避免地会有OLED器件劣化的问题。同一显示屏内不同位置的像素器件的劣化程度不同,造成显示屏整......
垂直梯度凝固法(VGF)生长的低位错半绝缘(SI)GaAs单晶存在电阻率和迁移率低、电学补偿度小、均匀性差等问题.在3种不同温度条件下,......
