电流倍增电路相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

电流倍增电路相关论文

基于SOI CMOS工艺的LDO电路设计

设计了一种1.8～3.3 V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准......

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基准电路基准电压 LDO 电流倍增电路绝缘体硅芯片尺寸双极型晶体管负载调整率电源电压温度系数

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