采用n型单晶硅经光电化学阳极刻蚀成多孔硅，然后用TiO2和硝酸银溶液修饰多孔硅表面，通过电流－电压关系，时间－电流密度关系等方法研究几......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......