电荷俘获相关论文
先进纳米级CMOS器件在航天电子系统中已得到广泛的应用。随着元器件集成度的不断提高,当工艺节点超过45 nm后,高k栅介质HfO2取代传......
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在过去五十多年来,晶体管器件尺寸一直沿着摩尔定律按比例微缩,单个芯片上晶体管的数量从最早的几千个增长到今天的二十亿个。随着......
随着器件尺寸进一步等比例缩小,高k材料HfO2作为俘获层的电荷俘获型存储器展现了较好的耐受性和较强的存储能力,且工艺相对简单,与......
随着非易失性存储器存储单元的特征尺寸进入20 nm节点，传统基于多晶硅浮栅结构的存储器在结构性能上遇到诸多限制。为此，研究者们提......
随着当今社会科学的不断发展，对存储器的要求越来越高，现代的存储器件已经达到了瓶颈，因此，很多新型存储器被大家提出和进行了系统的研......
磷光小分子材料由于可以同时利用单线态和三线态激子，理论内量子效率可以达到100％；而荧光聚合物材料可以采用操作简单，成本较低的旋涂......
本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性,同时介绍了脉冲I-V分析技术,其能够对具有快速瞬......
基于60Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学......
本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性,同时介绍了脉冲I-V分析技术,其能够对具有快速瞬......
有 2-benzoylbenzoic 酸的铽离子的新奇稀土元素建筑群并且 1， 10-phenathroline (Tb (o-BBA ) 3 (phen ) ， o-BBA = 2-benzoylbenzo......
首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS（金属-绝缘体-半导体结构）电致发光器件,然后通过电致发光（EL）以及......
本文制备并研究了ZrO2纳米晶基电荷俘获型存储器的电学性能。我们发现,通过高温退火处理,ZrO2纳米晶从非晶母相中析出,被母相所包......
SONOS电荷俘获型存储器由于其工作电压低、开关速度快、器件抗疲劳特性好、保持时间长等优点而被大量应用于数码相机、手机等便携......
基于有机场效应晶体管（OFET）结构的非易失性存储器不仅具有单只晶体管驱动、非破坏性读取、存储速度快和存储容量大等特点,而且具有......
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基于60Co-γ射线和10keV X射线辐射源,系统地研究了55nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特......
氮化镓基高电子迁移率晶体管（HEMT）是实现高效节能与小型化、轻量化电力电子变换器的下一代功率器件。一方面这是由氮化镓材料本身的......
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