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Gd掺杂HfO2薄膜的电荷俘获存储与铁电特性研究
自氧化铪薄膜作为高介电常数栅介质材料成功用于45纳米及其以下节点集成电路CMOS器件以来,新型介电材料在逻辑器件和存储器件扮演......
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钆掺杂氧化铪
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