研究了40 nm工艺中低阻值接触栓的电迁移性能的提升。高性能芯片要求接触栓电阻尽可能小,而接触栓尺寸的减小使低电阻率钨成为必然......

该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－ｌ℅Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ。数据分析表明：各......

半导体和微电子制造技术的快速发展促使电子封装技术和材料的更新换代。电子封装无铅焊料已经基本取代了传统的锡铅焊料、而被广泛......