电-热模型相关论文
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,即IGBT)是一种拥有载流密度大、饱和压降低等多种优点的功率开关器件,广泛应......