本文主要研究高压功率半导体器件的结终端技术。利用仿真手段设计与验证了四种适用于1700V功率器件的结终端，包括场限环(FLR)、具有......

By method of the Laplace transform, this article presents semi-analytical solutions for transient electroosmotic and pre......

提出了利用测量平面型场限环结构硅半导体器件的环电位，并结合计算机数值模拟，定量计算各种保护材料的带电电性和电荷量值的新方法。......

器件终端处的界面电荷密度是一个影响场限制环终端增压效果的敏感参数，尚无准确的测量方法，本文用数值模拟方法算得了环电位的理论曲......