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界面缺陷特性相关论文
Si衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT中SiNx钝化应力与界面缺陷特性关系研究
SiNx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)生长......
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