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相位移掩膜相关论文
影响PSM工艺产品良率因素的研究
文章围绕实际工作中遇到的0.13μm Logic产品的良率问题展开。主要通过分析比较相位移掩膜工艺和传统铬膜工艺的优缺点,找出可能导......
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光阻膜厚与前层图形对于多晶硅关键尺寸影响的研究
目前整个IC制造工艺中关键尺寸从0.35微米大幅进步到0.18微米之后,已迈向0.13微米,整个技术仍然继续朝着关键尺寸进一步微细化方向......
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