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非均匀磁性薄膜的临界温度,位移指数及相干临界指数
用非均匀磁性薄膜,采用变分累积展开方法,分别对海森堡模型及伊辛模型,计算了四阶临界温度T^(4)c(L),位移指娄λ,及相干临界指数v,得到了vI=0.712,vH=0.710,此结果与实......
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临界温度
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相干临界指数
薄膜
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