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短沟道SOI相关论文
基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计......
期刊
正则摄动
二维
表面势
亚阈值
短沟道SOI
MOSFETS
regular perturbation
two-dimension
surface pote
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