砷化铟镓相关论文
The transient photoresponse of a backside-illuminated InP/InGaAs uni-traveling carrier photodetector(UTC-PD) is simulate......
In this paper,we report the growth of Ga As Sb and its crystalline property under various Sb2/As2 flux ratios and growth......
Top-illuminated metamorphic InGaAs p-i-n photodetectors (PDs) with 50%cut-off wavelength of 1.75 μm at room temperature......
Quantum well intermixing (QWI) by the impurity-free vacancy disordering (IFVD) technique is an important and effective a......
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Electronic Structure and Optical Properties of Zinc-Blende InxGa1-xNyAs1-y by a First-Principles Stu
电子结构和锌闪锌矿 InxGa1 的光性质 ? xNyAs1 ? y 系统被计算从第一原则。一些相对模拟在密度的框架用本地密度近似的 CA-PZ 形......
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据报道,美国麻省理工学院科学家开发出了有史以来最小的砷化铟镓晶体管。该校微系统技术实验室科研团队开发的这个复合晶体管,长度......
近期，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项新发明：一种外形如同一棵圣诞树的新型晶体管，其重要组件“门”（栅极）的长度缩减到了......
据海外媒体报道，美国麻省理工学院的研究人员开发的砷化铟镓晶体管技术有望将微电子革命带入新的重要阶段。......
麻省理工微系统实验室宣布采用砷镓铟化合物制造出了史上最小的晶体管,其厚度仅为22 nm。合作开发人员和麻省理工学院的教授Jes......
Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and I
有分子的横梁取向附生种的 InAlAs/InGaAs 联合帽子层的自我装配的 InAs/GaAs 量点(QD ) 的光致发光(PL ) 系列在不同刺激条件下面......
