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报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.该产品在820～950MHz下,插入损耗(I)≤0.4dB,回波损耗(R)≥19.5dB,反向三......
<正> 在今后的十年中,砷化镓单片微波集成电路(Ga As MMIC)可能是使 EW 系统性能优良、价格便宜的关键。为了满足为九十年代设想的......
南京电子器件研究所业已研制成功的GaAsMMICDPDT开关采用全离子注入、全平面干法技术，它是一种多栅结构的MESFET功率开关。具有承受......
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