砷化镓衬底相关论文
Co2FeAl是一种Full-Heusler合金,理论上由于其费米面附近自旋少数的电子态密度为零而具有100％自旋极化率1.另外,Co2FeAl的晶胞磁矩......
本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP......
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现......
用MEMS技术设计并制作了Ku波段单片振荡器和制作在砷化镓衬底上的Ku波段辐射天线.其中单片振荡器在18.29GHz输出功率达9.17dBm;Ku......
We demonstrate 10 Gb/s directly-modulated 1.3 μm InAs quantum-dot (QD) lasers grown on GaAs substrates by molecular bea......
随着半导体集成电路行业的急速发展，CMOS器件的尺寸也不断小型化，此时传统Si基MOS器件的尺寸也逐渐的接近它的物理极限。GaAs因其高......
采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线......
立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制......
期刊
旁栅效应是制约GaAs集成电路性能和集成度的有害寄生效应。本文研究了MESFET电路的旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 ,认为这两个现象......
室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱......
立方Ga As(100)衬底上制备GaN薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相，采用水平常压MOCVD方法在立方Ga As(100)衬底上制备了GaN薄膜。XRD......
采用分子束外延技术在GaAs（110）衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍......
<正>镓是我国具备资源优势的金属品种之一。金属镓是制备砷化镓、氮化镓单晶半导体材料的主要原料。随着国内外传统射频通信和LED......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得......
针对砷化镓（GaAs）衬底上螺旋电感提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型，该等效电路模型能很好地表征螺旋电感的高频效应。同时，应......
