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砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺相关论文
基于PHEMT工艺的5GHz锁相环芯片
给出了基于0.2 μm砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺设计的高速锁相环芯片的电路结构、性能分析与测试结果.芯片采用吉尔伯特结构的......
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