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砷镓铟三元化合物相关论文
InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响
用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙......
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InGaAs(P)/InP
量子阱
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砷镓铟三元化合物
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