在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As......

对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理，研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理，......

在 950℃和 1120℃温度下,对非掺杂(ND)半绝缘(SI)液封直拉(LEC) GaAs 单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷......