研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形......

采用微波法制备了Co2Si@C催化剂并对其在加氢脱硫反应中的催化性能进行了研究.通过XRD、 XPS、 TEM和N2-物理吸附表征分析Co2Si@C......

报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用......

过渡金属硅化物因具有高熔点、低电阻率、良好的化学惰性和热稳定性等性能被广泛应用于半导体等领域。然而现有的制备技术限制了过......

LDMOS功率管广泛应用于雷达探测领域,比如:机载、舰载、陆基相控阵雷达等领域。芯片电极是工作电流与微波信号的通道,也是整个LDMO......

随着集成电路进入深亚微米及其以下时代,线宽尺寸不断减小,接触和互连已经成为增加电路延迟时间,影响系统集成度和稳定性的重要因......