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硅基金属-氧化物-半导体(MOS)光电器件因其价格低廉、应用广泛等优点,具有广阔的应用潜力。完全利用原子层沉积(ALD)方法制备与当今......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......