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Si—FEA冷发射微阴极阵列实验研究
对Si-FEA冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制备方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了20×20/100×100硅尖锥阵列和栅压在100 ̄400V之间50μ......
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