介绍了一种2um硅栅自对准CMOS工艺.采用双阱、双掺杂栅结构,全离子注入和快速热退火制备的2um MOSFET能克服短沟效应和抗热载流子......

本文介绍了一种星用CMOS双路输出LDO的研制.在电路设计上,采用PMOS管作为调整管、E/DNMOS基准,在工艺上,采用开发的1.5μm硅栅自对......

本文介绍了一种CMOS低压差+V三端稳压源的研制.在电路设计上采用PMOS管作为调整管,用带隙基准和NMOS基准两种结构;在工艺上采用硅......

介绍了一种CMOS 16位A/D转换器的工艺技术.该技术采用2 μm硅栅自对准CMOS工艺、全离子注入和快速热退火.并分别用P阱和双阱工艺、......

文章介绍了一种CMOS双路输出低压差电源.电路设计中,采用E/D NMOS基准,用PMOS管作调整管;电路实现采用1.5μm硅栅自对准E/D CMOS工......

介绍了Ⅱ型结构的ＣＭＯＳ模拟开关的电路设计。采用４μｍ硅栅自对准技术、全离子注入浅工艺制造出了ＳＢ８０４ＣＭＯＳ模块开关，在３０ＭＨｚ的视频信号下，其隔离度高达６３ｄＢ、开......