硅电容相关论文
本文从应用开发MEMS产品的实用角度出发，着力介绍一种新型的硅电容微差压敏感器件。文中给出了该器件的微结构组成，版图及参数设......
硅电容微差压传感器是采用先进的微机械加工(MEMS)技术和工艺,以扩散硅压力传感器的工艺为基础,创新设计和工艺路线研制的一种新型......
提出了国内硅基力敏传感器的现状，指出在产品研发、制备工艺、基础研究、应用方面存在的问题和不足。分析了硅基力敏元件和传感器的......
对三种典型的石丰基力敏传感器，硅压阻、硅电容、硅谐振传感器的基本性能、稳定性、性价比、批量生产工艺等性能进行了分析。最后对......
硅电容加速度传感器由硅可动电极和玻璃固定电极封接而成.固定电极的加工质量对传感器的性能有很大的影响.本文从封装的角度讨论了......
本文运用TDDB理论,研究分析了GaAs MMIC的MIM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计了不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性......
本文在测试分析N+埋层-隧道氧化层-多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底-隧道氧化层-多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）......
该文介绍了一种硅电容加速度传感器的设计和研制，通过采用新型三维无掩模腐蚀工艺，形成对称梁差动电容结构以减小传感器的横向效应。......
在CMOS多晶硅刻蚀工艺的基础上进行工艺开发,采用氯气和溴化氢气体进行硅槽刻蚀。通过对功率、压力、气体流量等工艺参数拉偏,用扫......
IPDIA推出10μF的硅电容，具有较好的稳定性和可靠性特点，专为要求苛刻的应用而设计。新的使用专利3D硅技术的10μF电容，其低漏电流可......
本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构，从而较好地消除由温度特性不匹配造成的漂移......
对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间......
分析了MMA系列加速度传感器的内部结构及其工作原理,介绍了其体积小、抗冲击能力强、集成度高和低噪声漂移等特点,着重说明了其滤......
文中从应用开发MEMS产品的实用角度出发,介绍硅电容微差压敏感器件的封装工艺技术。文中给出了该器件的工作原理及结构特点,从封装......
通过对多种电容传感器接口电路的列举和特性的比较,选取4个二极管交流桥式接口形式。分别通过解析计算及利用SPICE程序进行计算机......
介绍了一种提高硅电容压力传感器过载回零响应速度的方法,通过在传感器硅可动极板上设计、制作快速导油微结构,实现了传感器过载回......
<正> 本届展览会参展的各种传感器,从测量参数看主要分为压力、加速度、流量、液位和温度五大类,广泛用于工业过程测控系统.从技术......
为了掌握硅压阻、数字式振筒和硅电容3种气压传感器的静态性能,进行了2次静态性能测试(非线性、迟滞、重复性)、温度测试和长期稳......
研制的硅电容压力传感器芯体采用微机械加工技术,加工精度高,易于批量化生产。结构上采用对称的差动电容形式,并将其封装在专用基......
硅电容式差压传感器在国际上刚刚崭露头角，在国内尚属空白，此项目被国家列为“十五”攻关课题，以填补国内空白，适应市场的大量需求。 ......
