硫化铜薄膜相关论文
本文使用简单的化学浴法制备了厚度低于100nm的硫化铜薄膜,比较了不同前驱体溶液对薄膜厚度的影响.在此基础上,将该硫化铜薄膜作为......
本文利用紫外光光刻技术结合化学浴沉积的方法,以EDTA为络合剂,CuSO4·5H2O和Na2S2O3为前驱体溶液,在70℃下选择性的沉积硫化铜纳......
采用射频磁控溅射方法低温制备硫化铜薄膜正极,研究了硫化铜薄膜作为锂离子电池正极的储锂性能。结果表明,硫化铜薄膜正极具有较高......
采用电化学方法在铜衬底上制备CuxS薄膜 ,在一定反应温度、电压、时间条件下 ,作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质地均匀的Cu......
采用电化学方法在铜衬底上制备ＣｕｘＳ薄膜，在一定反应温度、电压、时间条件下，作为电极的铜片衬底可生成一层深蓝色的质量 地均匀的ＣｕｘＳ薄膜。......
The Growth and Characterization of Copper Sulphide Thin Film Using CBD （Chemical Bath Deposition） Te
...
在玻璃基底上通过两次发制备ＣｕｘＳ薄膜。硫蒸气在温度１５０－２１０℃时与淀积在衬底上的铜直接反应，在生成ＣｕｘＳＡ薄膜。......
为了研究三乙醇胺（TEA）在化学水域沉积法工艺中的作用,本文以氯化铜,硫脲,氨水和三乙醇胺为原料,采用化学浴沉积法在玻璃基底表面成......
硫化铜薄膜是一种应用前景十分广阔,具有非常优异的光电性能的光电功能薄膜材料。文章介绍了不同的化学方法制备硫化铜薄膜的优缺......
