硬开关相关论文
氮化镓（GaN）器件是第三代功率半导体的重要代表,GaN功率器件相比与传统硅（Si）器件有更强的耐压能力,相同耐压下导通电阻极低,损耗小,其......
现代电网正进入以“新能源+互联网”为特征的后碳时代。建立能源互联网,发展分布式发电,是实现电能“清洁替代”的重要途径。配电......
随着ＭＯＳ技术引入功率半导体领域，功率控制器件发生了革命性的变化。在功率控制方面，发展最快的一个领域是高效的电机控制。对这个领域作......
以全桥ＺＶＳＰＷＭ逆变焊机电源为对象，通过对零电压开关下ＩＧＢＴ开关特性、开关损耗与硬开关下的比较，得出零电压开关下ＩＧＢＴ可靠性的研究结果。
Taking......
国际整流器公司(International Rectifier,IR)推出IRG4BC15UD、IRG4815UD-S及IRG4BC20UD-S,扩展了Co-Pack IGBT系列。新型Co-Pack......
采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kV IGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常......
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最近由于降低了导通和开关损耗,PT IGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所......
2008年3月14日,Vishay Intertechnology Inc宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥IGBT。该系列由8个600V及1200V器件组......
本文阐述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进......
新型CoolMOS~(TM) 650V CFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻......
本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的......
当今,PFC级和DC/DC级对电源效率的要求越来越高,尤其是在轻负载运行中。为满足这些要求,逻辑上工程师应选择使用栅极电荷较低的MOS......
飞兆半导体推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机,此新型IGBT系......
e络盟日前宣布提供来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的高压MOSFET产品组合—C7和P6系列CoolMOSTM功率MOSFET,它们具......
航空高压DC-DC变换器是航空高压直流电源系统的重要组成部分,需要具有较高的功率密度和变换效率。采用GaN器件可以提高航空高压DC-......
和台式机键盘不同,笔记本的键盘不仅拥有丰富的快捷键,额外的触控板也能成为提高操作效率的绝密武器。但想让它们发挥100%的功效,......
详述大颗粒的几套控制系统在CS3000 DCS系统中的软件组态。
Describe the software configuration of several control systems o......
6月15日联想QDI 发布了基于 Intel 810芯片组,赛扬中央处理器的威力士主板。在此款主板中,联想QDI采用了“宙斯盾”、Anii一CIH等......
无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前......
提出了一种运用软开关的Boost电路,该电路实现简便,控制简单,对于提高开关电源的开关频率和效率都有积极意义
A Boost circuit us......
该书详细介绍了采用国际最新型电力电子器件MOSFETIGBT、多种新型IC控制系统和国产优质磁性材料设计的现代高频开关稳压电源。其......
目前我们正努力去提高功率开关MOSFET，IGBT的性能——减小正向压降，减少关断能量，在开关型感性负载中，开通损耗在很大程度上取决于续流......
本文通过在理论上对硬开关逆变器和一种零电流转换软开关逆变器的损耗分析,并且对软开关以及硬开关逆变器分别在不同功率等级,不同......
在高频应用中为了减少电路损耗和防止过电压尖峰对器件的损坏,需要快速软恢复二极管.硬开关过程中存在二极管反向恢复电流(Irm)增......
四零,指变换器开通的零电压与零电流化,关断的零电压与零电流化这四个到位,从而实现真正意义上的几乎无损耗之开关转换,从而使变换......
首先分析了传统“硬开关”PWM逆变单元中非线性因素(诸如开关死区时间等)对系统输出性能的影响,然后重点讨论了直流母线零电压过渡......
该文引入统一开关过程理论，将硬开关和软开（含谐振型与非谐振型）纳入归一化的描述，由开关轨迹平面导出描述开关过程软化程度的参数硬度......
该文在深入了解软开关的发展及零电流转移变换器的各种拓扑的基础上,定量的分析了双零电流转移PWM变换电路的工作过程和工作原理,......
开关电源(Switch Mode Power Supply;SMPS)的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择,即开关管和整流器.虽然没有万全的方案......
功率转换业最流行的拓扑之一是反激式,因为其成本低、尺寸和体积小.不过,单开关元件虽可降低总体成本,可是在硬开关工作模式下却会......
由于具有成本低、体积小的优点,反激式因此成为电源转换最流行的拓扑之一.单开关元件虽可降低总体成本,可是在硬开关工作模式下,却......
谐振技术已应用于开关电源领域中，使开关电源由原来的硬开关变成面的软开关。文章是在对谐振式开关电源深入研究并小批量生产的基础......
英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出OptiM OSTM 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300 V OptiM O......
全桥硬开关逆变焊机在当今焊接领域占有很重要的地位，本文以全桥硬开关方案为基础，把理想和实测波形进行比较分析，进一步展示IGBT全桥......
6月中旬,联想QDI发布了基于Intel 810芯片组,赛扬中央处理器的威力主板。在此款主板中,联想QDI采用了“宙斯盾”等两项新安全措施,......
对于开关电源大家并不陌生，电视、电脑中使用的都是开关电源，只是以往在电影行业中用得较少，电影从业人员因而可能接触较少。以前的开......
引入统一开关过程理论，将硬开关和软开关(含谐振型与非谐振型)纳入归一化的描述，由开关轨迹平面导出描述开关过程软化程度的参数硬度......
等离子显示器在没有能量恢复电路的情况下,功耗很大,不能广泛实用,因此能量恢复电路是驱动电路中至关重要的部分.能量恢复电路中的......
Hard Switching Process Optimization for Selected Transistor Suited for High Power and High Frequency
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以尿素界区的碳铵液密闭排放槽ＴＫ０４液位报警联锁开关为列，说明开关替代现场硬开关在ＦＯＸＢＯＲＯＩ／Ａ集散控制系统上的实现过程及意义。......
