碟形缺陷相关论文
亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层。利用自制2英寸图......
分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用，阐述了铜布线的结构，即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下，抛光规律符合......
具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成，但是与抛光垫的表面形态有关，在此基础上，分析了铜CMP的作用机制，初步定性指出造成......
化学机械抛光(CMP)已经被广泛的应用于大规模集成电路的制造中。在铜互连结构中,阻挡层能够抑制铜扩散到介质中去并且提高铜和介质......
