碳化硅缓冲层相关论文
ZnO是一种宽禁带半导体材料,具有优异的光电学性能,在紫外探测器、透明导电极、太阳能电池、液晶显示器等领域有广泛的应用前景。但......
用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层。脉冲激光沉积后的GaN薄膜......