碳化硅以其禁带宽度大,击穿电场高,热导率大,电子饱和漂移速度高等优异特性成为继锗、硅、砷化镓之后的新一代半导体材料.该文在Si......

碳化硅,作为所谓第三代半导体材料的一种,具有优越的电学、热学性质;宽带隙、高饱漂移速度、高截至电压、高热导率等等,因而在高温......

对实验数据进行了分析表明,热电子发射是正向电流的主要输运机制,SiC中载流子的不完全离化是正向特性随温度变化的主要影响因素.在......

采取对比的方法将Si IGBT/Si FRD模块与Si IGBT/SiC SBD模块静态及动态特性进行了测量与分析。测试表明,将Si IGBT模块中Si FRD替......