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碳空位及其络合物相关论文
非故意掺杂4H-SiC本征缺陷及退火特性研究
高质量的半绝缘SiC材料在集成电路以及射频功率MESFET和功率PIN器件等方面的应用具有十分重要的地位,它既可用作器件的衬底,又可作......
学位
非故意掺杂
4H-SiC
电子顺磁共振
光致发光
退火处理
本征缺陷
碳空位及其络合物
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