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磷化铟(In相关论文
4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)In P单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2。对4 ......
期刊
磷化铟(In
P)
垂直温度梯度凝固(VGF)
孪晶
组份过冷
indium phosphide
VGF
twin
composition supe
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