积累型场板相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

积累型场板相关论文

超低比导的新型场板LDMOS研究与实现

横向功率MOSFET器件研究的关键在于实现高耐压和低功耗。然而,耐压与比导通电阻均强烈受制于漂移区掺杂浓度,因而存在固有的矛盾关......

学位

LDMOS 积累型场板比导通电阻击穿电压

新型超低阻高压SOI器件设计与工艺分析

功率器件的核心问题是功耗问题。高压器件决定功耗的因素是器件的耐压和比导通电阻。常规超薄SOI器件能够改善器件耐压和比导通电......

学位

积累型场板 LDMOS 耐压比导通电阻温度

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