空穴缺陷相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

空穴缺陷相关论文

B~+、P~+离子注入p-Si中产生的缺陷及其退火特性的DLTS研究

用电容及电流DLTS方法测量了B~+、P~+离子注入掺硼p-Si中引进的空穴缺陷能级及其退火行为.在两种离子注入样品中都测到的空穴陷阱......

期刊

离子注入 P-SI 空穴缺陷 DLTS 退火 Ion implantation hole traps capacitance current DLTS

PMOSFET中负栅压温度不稳定性的空穴俘获机理

负栅压温度不稳定性(NBTI)是现代CMOS工艺中最重要的研究方向之一。尽管NBTI已经研究了40多年,其退化机理仍然存在很大的争议。一......

学位

负栅压温度不稳定性场辅助LRME模型空穴缺陷能级分布 PNO

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