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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:HTFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:HTFT静态特性的影响明显增大.文中详细分析了有源......
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非晶硅
薄膜晶体管
有源层厚度
空间电行层
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