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立方氮化钙相关论文
利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性质
研究了采用高频Plasma CVD技术在较低温度下(300-400℃)生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性,在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层,热处理......
期刊
生长
立方氮化钙
高频等离子体化学气相沉积
X射线光电子谱
蓝宝石衬底
光学性质
cubic GaN
radio frequency plasma CVD
Xr
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