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纳米晶氧化锡粉体相关论文
纳米晶SnO2粉体的合成
纯SnO2为禁带宽度达3.8eV的宽带n-型半导体,当形成氧空位后在禁带内形成ED=-0.15eV的施主能级,向导带提供1015~1018cm-3浓度的电子[......
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纳米晶氧化锡粉体
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直接沉淀法
半导体材料
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SnO2
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