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纳米绝缘体上硅相关论文
130纳米PDSOI集成电路单粒子瞬态效应研究与设计加固
单粒子瞬态效应(SET)在纳米工艺下成为集成电路软错误的主要来源,因此开展SET产生机理及加固技术的研究工作具有重要的意义。而SOI......
学位
集成电路
纳米绝缘体上硅
单粒子瞬态效应
加固设计
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