结型晶体管相关论文
该文提出将交流测量和直流测量相结合的方法来测量晶体管发射结的正向偏压电容.分析了晶体管发射结正向电容随偏压变化的测试结果,......
引言rn智能功率集成电路VK05专门用于半桥电子镇流器电路,采用的纵向智能功率(VIPower)专利技术,在发射极开关(共射-共基)结构内集......
通用测试rn电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外.利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件......
通用测试rn电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构.此外,利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器......
【正】 一、先驱的探索,成功与失败均可借鉴尽管半导体材料、半导体器件是在二十世纪50年代之后才极大地发展起来的,但是,半导体的......
晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题.文中提出用交流测量和直流测量......
飞兆半导体首先发布了先进的SiC双极结型晶体管（BJT）系列，该系列产品可实现较高的效率、电流密度和可靠性，并且能够顺利地进行高温工作......
Link Switch-4产品系列采用高级自适应基极-发射极开关驱动技术,支持使用双极结型晶体管（BJT）开关,从而大幅提高电源转换效率并消除......
安森美半导体日前宣布公司的NUS3116充电和电源开关解决方案因其最简单的便携产品充电方法获得EN—GeniusNetwork颁发的“年度产品......
1、引言再生式环境生命保障系统(ECLSS)是宇宙飞船长期载人飞行的保证,而电化学二氧化碳浓缩器(EDC)则作为ECLSS这一废物循环再利......
1功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要功率半导体器件是实现电能转换的核心器件。主要用途包括逆变、变频等。功率半导......
引言 自绝缘闸双极型晶体管（IGBT）于上世纪80年代面世以来，一直成为中等功率应用中最常用的部件“1，2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶......
