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结构和光电性质相关论文
锐钛矿二氧化钛单晶薄膜的制备与表征及器件研究
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
学位
锐钛矿TiO2
外延单晶薄膜
掺杂
结构和光电性质
紫外光电探测器
MOCVD方法制备氮化锌薄膜及其性质研究
近年来,氮化物半导体由于具有比较大的禁带宽度和电子饱和速率以及比较大的击穿电压等特点被公认为光电材料中最有发展前途的材料......
学位
氮化锌薄膜
MOCVD
结构和光电性质
退火
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